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| 【著者プロフィール】(「BOOK著者紹介情報」より) 芝原 健太郎(シバハラ ケンタロウ) 広島大学ナノデバイス・システム研究センター。2011年4月21日逝去 宮本 恭幸(ミヤモト ヤスユキ) 東京工業大学大学院理工学研究科 内田 建(ウチダ ケン) 慶應義塾大学理工学部(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) |
この商品の説明
初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。
目次
序章;デバイス物理の基礎;MOSFETデバイス;CMOSデバイス設計;CMOS性能因子;バイポーラデバイス;メモリデバイス;SOIデバイス〔ほか〕
商品仕様
- アイテム名:書籍
- ページ数:７２１ｐ
- 大きさ:２１ｃｍ（Ａ５）
- 出版社:丸善出版
- ISBN-10:4621085816
- ISBN-13:9784621085813
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