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この商品の説明
目次
第1章 SiC(SiC―可能性とその特徴;SiC単結晶基板の高品質化技術;SiCエピタキシャル薄膜の多形制御技術;SiCパワーMOSFETの開発;Super‐SBD;SiC‐MOSFETの信頼性および動作時のノイズ低減;高性能4H‐SiCSBD、MOSFETの開発と高温動作SiCIPM;SiC接合型/静電誘導型(SiC‐JFET/SIT)トランジスタ);第2章 GaN(GaN―可能性とその特徴;窒化物半導体の特性と評価;Si基板上AlGaN/GaNパワーデバイス;超高耐圧AlGaN/GaNパワーデバイス;薄層AlGaN構造を用いたGaNパワーデバイス);第3章 ダイヤモンド半導体(材料;デバイス);第4章 応用編(次世代モーダルシフト;情報通信システム用電源)
商品仕様
- アイテム名:書籍
- ページ数:197p
- 大きさ:26cm(B5)
- 出版社:シーエムシー出版
- ISBN-10:4781301371
- ISBN-13:9784781301372
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